在新一轮商业与军事应用的推动下，越来越多的器件生产商涌现氮化镓(GaN)市场，正在形成产业中的下一个淘金热。这股热潮始于上周，当时Cree Inc.以4600万美元收购了金钢砂(SiC)和GaN晶圆开发商Intrinsic Semiconductor Corp.。
越来越多的化合物半导体专业厂商和其它企业最近涌入GaN领域，或者扩大了这方面的业务，这些企业包括Eudyna Devices、Group4、IMEC、Matsushita、RF Micro Devices、TDI、东芝、TriQuint等。
人们对于开发基于GaN的独立式分立元件的兴趣也突然大增。GaN据称有较大的热容和较宽的能带隙，可望用于取代传统的GaAs技术，适合于一系列快速增长的消费与通讯市场。军方正在悄悄地为GaN研发与生产合同投入数百万美元。
GaN仍处于早期阶段，面临可靠性和批量生产问题。实际上，参与GaN活动的企业和研究机构数量在2000年有350家，到2005年已增长到500家以上。
